Tuoteryhmät ja tuotteet

IXDN75N120
Transistori IGBT 1200V 120A 630W SOT-227B

Tekniset tiedot

IGBT-transistori.
 

Tilauskoodi: IXDN75N120
Polariteetti: N-kanava
Jännitekesto: 1 200 V
Virtakesto: 120 A
Tehonkesto: 630 W
Kotelo: SOT-227B



Katso lisätietoja tuotteen sivulta.

Määrä:
Transistori IGBT 1200V 120A 630W SOT-227B
Hinta
1+ 51,65 EUR
5+ 49,05 EUR
10+ 46,50 EUR

Ei varastossa
Toimitusaika: 1 viikko